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ADS PEProを使用したスイッチング電源回路設計オンライン体験セミナー
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基板の影響を正確に考慮するための電磁界解析と、その結果を反映する高精度回路解析を
1つの環境で実現可能な、新しい解析フローを搭載したADS PEProを体験できます。
スイッチング電源回路で、ノイズ/サージにお困りの方は必見です。
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製品情報
ソリューションの詳細は、以下よりご覧ください。
アプリケーションノート
Quick Start for ADS in Power Electronics Applications
Advanced Design System(ADS)による、パワーエレクトロニクスの実装基板の影響を考慮した設計フローをご紹介します。
Hitting the High Speed Wall
パワーコンバーターの設計者が直面している問題や、これらの問題の解決に向けての取り組みについて最新のデザインツールを用いた事例をご紹介します。
Power Electronics with Keysight ADS at the EDM Lab - University of Bologna
ボローニャ大学EDM Labによるプレゼン資料。ADSの無線給電システムやパワーアンプのエンベロープ・トラッキング・システムへの適用方法を紹介しています。この中では、設計のアプローチ方法を議論した上で、シミュレーション結果とラボでの測定結果を比較しています。両者の間には良好な相関が見られます。この資料では、ADSを使用することで試作結果を予測できることを紹介しています。
Controlling Parasitic Effects
レイアウトの寄生成分の背後にあるメカニズムや、高速デザイン手法を用いてそれらの寄生成分を提言する方法を理解することができます。
Converter Killer
スイッチング電源のトランジスタが本来のサイクルから外れてオンになるメカニズムを学習できます。このような誤ったスイッチングは、性能劣化やコンバーターの動作不要につながります。
Physical Design Techniques for High Speed GaN Power Converters
Transphorm社と共著のこの資料では、パワーエレクトロニクスのデザイナーが直面するレイアウトデザインの問題、また実際のリファレンスデザインを使用してその問題を克服する方法を深く掘り下げて説明しています。リファレンスデザインに関する注意事項に加えて、Transphorm社のGaNテクノロジーの概要を説明しています。ADSを使用した解析では、高い性能を実現するためにレイアウトがどのように最適化されたかが分かります。
Designing a More Efficient Power Converter Using Soft Switching Technique
パワーコンバータは、電気自動車や再生可能エネルギーアプリケーションにおいて重要な役割を果たしています。あらゆるコンバータの主な設計目標は、最適な効率を達成することです。ソフトスイッチングは、パワーエレクトロニクス業界では、より高いレベルの効率を達成するために使用される技術として知られています。このアプリケーションノートでは、このソフトスイッチングの手法と、KeysightのEDAソリューションによってパワーコンバータにソフトウェアスイッチングを適用する方法について説明します。
Simulating the Effects of Layout Parasitics on a Power Inverter
パワーインバータは、電気自動車、データセンター、再生可能エネルギーなどの産業で普及しています。パワーインバータは、DCを一連のトランジスタを通してACに変換します。最適なレベルの電流対称性を達成するためには、各トランジスタに流れる電流のバランスをとることが重要です。この設計目標を達成するには、基板の寄生成分が障害になることがあります。このアプリケーションノートでは、この課題を克服するシミュレーション手法を解説します。
製品カタログ
PathWave Design and Test Software
Keysight EEsof EDA Advanced Design System (English)
パワー・エレクトロニクス・デバイスのモデリング
PD1000A アドバンスドモデリング用パワーデバイス測定システム
PD1500 ダイナミック・パワー・デバイス・アナライザ/ダブル・パルス・テスター
製品紹介
パワーデバイス測定システム
PD1000A アドバンスドモデリング用パワーデバイス測定システム
PD1500 ダイナミック・パワー・デバイス・アナライザ/ダブル・パルス・テスター
パワー・エレクトロニクス・デバイス・モデル抽出・ソフトウェア
W8598BP パワー・エレクトロニクス・モデル・ジェネレーター・ソフトウェア・バンドル
W8538EP IC-CAP GaNパワー・エレクトロニクス・モデリング・アドオン
W8537EP IC-CAP IGBTパワー・エレクトロニクス・モデリング・アドオン
W8536EP IC-CAP SiCパワーMOSパワー・エレクトロニクス・モデリング・アドオン
IC-CAPデバイス・モデリング・ソフトウェア
回路設計ソフトウェア
Advanced Design System (ADS) ソフトウェア
ADS W2240BP パワー・エレクトロニクス・バンドル
オンデマンドセミナー
Conquer Power Electronics Design Challenges
パワーエレクトロニクスの分野は、電気自動車や再生可能エネルギーの成長とともに急速に進化してます。スイッチングモード電源、パワーコンバータ、およびインバータは、最大効率を達成するように設計されなければなりません。さらに、ワイドバンドギャップ半導体は、高効率化、高電力密度化、システムの小型・軽量化につながる利点から、パワーコンバータ設計の魅力的な選択肢となっています。このウェビナーでは、すべての設計者が直面するこれらの新たな課題について取り上げます。
・ 熱設計
適切な半導体技術の選択とボードレベルの熱影響の予測
・ パワーモジュールのシミュレーション
試作前の3D構造の影響予測
・ MOSFETの並列化
基板寄生を考慮した各トランジスタの電流バランスの実現
スイッチング電源回路のシミュレーション技術 ウェブセミナー
SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体は、次世代のスイッチング電源(SMPS)の原動力となっています。高効率化、小型化、軽量化を目指しながらも、コストを抑える必要があります。設計上の新たな課題を解決するスイッチング電源回路の解析ワークフローを解説します。
・ スイッチング電源回路のEMIをシミュレーションで検証
・ WBG半導体を用いたスイッチング電源解析フロー
YouTube
測定
Keysight power semiconductor testチャンネル
ワイドバンドギャップ半導体の特性測定を再現性高く実現
Overview of Keysight PD1000A Power Device Measurement System for Advanced Modeling
I-V and C-V measurements for advanced modeling of wide-bandgap power devices
S-Parameter measurements for advanced modeling of wide-bandgap power devices
デバイスモデリング
Creating accurate wide-bandgap device models with Keysight Power Electronics Modeling Generator
回路設計
How to Design Power Electronics: HF Power Semiconductor Modeling Webcast
How to Model Nonlinear Magnetics in Power Electronics
How to design DC-to-DC converters
How to Estimate Voltage Spikes from Layout Parasitic Inductance in Switched-Mode Power Supplies
スイッチング電源設計
Building Your First Switched-Mode Power Supply in ADS: The Basics
Building Your Own Switching Device Models in ADS for SMPS Design
Optimize Your Switched-Mode Power Supply Design
Reducing Time to Market for Switch Mode Power Supplies
ADS: How to Accelerate SMPS Workflow with a Power Device Reference Design
メディア掲載
【EDN Japan掲載】2022年1月24日
SiC採用のための電源回路シミュレーション(1)
SiCパワーMOSFETのデバイスモデル、オン時の容量考慮で精度が大幅向上
スイッチング動作が極めて高速なSiCパワーMOSFETを用いた電源回路設計では、回路シミュレーションの必要性に迫られることになるが、従来のモデリング手法を用いたデバイスモデルでは精度面で課題があった。本連載では、この課題解決に向けた技術や手法について紹介する。
【EDN Japan掲載】2022年2月21日
SiC採用のための電源回路シミュレーション(2)
SiCパワーMOSFETのスイッチング特性、大電流/高電圧領域の測定で解析精度が向上
SiCパワーMOSFETのデバイスモデルの精度向上には、「大電流/高電圧領域のId-Vd特性」および「オン抵抗の温度依存性」を考慮しデバイスモデルに反映させることも重要となる。今回はこの2点に関する解説を行う。
【EDN Japan掲載】2022年3月24日
SiC採用のための電源回路シミュレーション(3)
SiCパワーMOSFETを採用した電源回路、配線レイアウトの考慮が高精度解析に不可欠
SiCパワーMOSFETを採用した電源回路の回路シミュレーションを実行する際は、設計したプリント基板の配線レイアウトを解析し、その寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスを分布定数として高精度で抽出する必要がある。
ニュースリリース
Keysight Expands EDA Software Portfolio with the Acquisition of Cliosoft (February 23, 2023)
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