パッシブデバイスのインピーダンス特性は周波数分散を有しています。一般的なモデリングではこの周波数分散を表現するために多くのR,LC素子を使用します。しかしながら、周波数ドメインの解析に強みを持つADSにはインピーダンス特性を数式で表現する機能があります。本講演ではFreq関数とEquation-Based Linear Componentsを用いたパッシブデバイスのモデリングの事例をご紹介します。

講師：株式会社モーデック MBDソリューショングループ MBDソリューショングループ長 櫻庭 養一 様

SiCをはじめとした高速スイッチングデバイスの回路シミュレーションについては、デバイスモデル単体の精度はもちろんですが、周辺素子や基板/モジュールの寄生成分の反映も重要となります。

本公演では、弊社が取り組んでいるSiC MOSFETのデバイスモデルのご紹介と、周辺環境のモデル化の差異による、シミュレーション結果の違いについて、いくつかのケースワークをご紹介いたします。

講師：ローム株式会社 システムソリューションエンジニアリング本部 FAE1部 ソリューションエンジニアリング1G 今村 飛馬 様

次世代パワー半導体の採用が進み、高速スイッチングにおける損失、ノイズ、サージなどの評価の重要性が高まっています。しかし、得られた波形が果たしてデバイス本来の特性なのか、それとも測定系の問題なのか、判断の難しいケースが少なくありません。こんな時、回路シミュレーションが活躍します。キーサイトのADSを使って、回路上の寄生成分がどのようにスイッチング波形に影響するか、一緒に学んでいきましょう。

講師：キーサイト・テクノロジー 新井 崇雅

スイッチング電源回路は、次世代パワー半導体の採用でスルーレートの高速化が進んでいます。この高い電流変動は、レイアウトの影響によって電圧スパイクやEMIの問題の要因となり、検証には基板の寄生成分を設計段階で把握することが重要です。このセミナーでは、ADSの設計フローを使い、基板の電磁界解析をスイッチング電源回路で利用するメリットについて事例を交えてご紹介いたします。またADS2023で搭載されている最新機能をご紹介いたします。

講師：キーサイト・テクノロジー 佐々木 広明

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